Tsmc буде активніше розвивати виробництво силових напівпровідників з нітриду галію

25

Подальша електрифікація всього на світі буде супроводжуватися зростанням ефективності перетворювачів, інакше втрати зведуть нанівець всю вигоду від переходу. Провідну роль в цьому процесі будуть грати так звані широкозонні напівпровідники, в список яких входять карбід кремнію (sic) і нітрид галію (gan). Компанія tsmc вже включилася у виробництво рішень на цих матеріалах і націлилася на п’ять областей, де очікує значне зростання попиту.

Джерело зображення: shutterstock

Як повідомляють тайванські джерела, tsmc бачить можливості для зростання позначених напівпровідників в найближчі десять років з акцентом на п’ять секторів: швидкі зарядні пристрої для електромобілів, центри обробки даних, фотоелектричні інвертори, інвертори постійного струму 48 в і бортові зарядні пристрої електромобілів.

Додатковим стимулом заглибитися в цю сферу для тайванського виробника стають зростаючі зусилля китайських компаній наздогнати захід у виробництві широкозонних напівпровідників. Tsmc не збирається упускати ініціативу, і охоче йде на співпрацю з ветеранами даної галузі. Зокрема, минулого року tsmc уклала партнерську угоду з європейською компанією stmicroelectronics і буде випускати для неї як дискретні, так і інтегральні силові рішення на нітриді галію.

У той же час tsmc розвиває власні технології виробництва. Займається вона цим з початку 2000-х і вже досягла певних успіхів. У 2014 році tsmc розпочала виробництво компонентів gan на своєму заводі з виробництва 150-мм пластин, а в 2015 році вона почала випускати компоненти gan для низьковольтних та високовольтних застосувань. У 2017 році компанія приступила до серійного виробництва компонентів gan-на-si. Співпраця з stmicroelectronics в 2020 році ще сильніше зміцнила позиції tsmc на новому для неї ринку. Очевидно, попереду нові успіхи, а зростаючий попит на ефективну силову електроніку не дасть їй зійти з обраного шляху.